型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 3Pin(3+Tab) TO-220 Rail724110+￥9.9360100+￥9.4392500+￥9.10801000+￥9.09142000+￥9.02525000+￥8.94247500+￥8.876210000+￥8.8430 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 晶体管 Discrete Hi-P IGBT56791+￥42.114410+￥39.6980100+￥37.9030250+￥37.6268500+￥37.35061000+￥37.04002500+￥36.76385000+￥36.5912 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 23A 3Pin(3+Tab) TO-3pF Rail53825+￥11.898950+￥11.3904200+￥11.1056500+￥11.03451000+￥10.96332500+￥10.88195000+￥10.83117500+￥10.7802 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。67995+￥12.121250+￥11.6032200+￥11.3131500+￥11.24061000+￥11.16812500+￥11.08525000+￥11.03347500+￥10.9816 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ，开关电源系列N沟道IGBT与反并联二极管超高速 600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode289110+￥10.9920100+￥10.4424500+￥10.07601000+￥10.05772000+￥9.98445000+￥9.89287500+￥9.819510000+￥9.7829 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT、1000V 及以上，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。360610+￥8.7120100+￥8.2764500+￥7.98601000+￥7.97152000+￥7.91345000+￥7.84087500+￥7.782710000+￥7.7537 -
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品类: IGBT晶体管描述: 智能功率模块的前端整流器概述 Smart Power Module for Front-End Rectifier General Description29971+￥112.665510+￥107.7670100+￥106.8853250+￥106.1995500+￥105.12181000+￥104.63202500+￥103.94625000+￥103.3584 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 650V 30A/50A 30Pin Case F279041+￥621.801610+￥599.984050+￥597.2568100+￥594.5296150+￥590.1661250+￥586.3480500+￥582.52991000+￥578.1664 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FPF1C2P5MF07AM 晶体管, IGBT/场效应管, MOSFET, IPM, 231W, 39A, 620V29691+￥503.159510+￥490.033650+￥479.9704100+￥476.4702200+￥473.8450500+￥470.34481000+￥468.15712000+￥465.9695 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 650V 150A 3Pin TO-247 Tube82715+￥27.717350+￥26.5328200+￥25.8695500+￥25.70371000+￥25.53782500+￥25.34835000+￥25.22997500+￥25.1114 -
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品类: IGBT晶体管描述: SPM®（智能电源模块），SPM45、SPM45L 系列，Fairchild Semiconductor ### 电动机控制器和驱动器，Fairchild Semiconductor77271+￥60.225510+￥57.6070100+￥57.1357250+￥56.7691500+￥56.19301000+￥55.93122500+￥55.56465000+￥55.2504 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V3040S3ST 单晶体管, IGBT, 21 A, 1.25 V, 150 W, 400 V, TO-263AB, 3 引脚85535+￥16.578950+￥15.8704200+￥15.4736500+￥15.37451000+￥15.27532500+￥15.16195000+￥15.09117500+￥15.0202 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR ISL9V5036S3ST 单晶体管, IGBT, 46 A, 1.17 V, 250 W, 360 V, TO-263AB, 3 引脚41375+￥22.347050+￥21.3920200+￥20.8572500+￥20.72351000+￥20.58982500+￥20.43705000+￥20.34157500+￥20.2460 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG18N120BND 单晶体管, IGBT, 通用, 54 A, 2.7 V, 390 W, 1.2 kV, TO-247, 3 引脚40235+￥32.607950+￥31.2144200+￥30.4340500+￥30.23901000+￥30.04392500+￥29.82095000+￥29.68167500+￥29.5422 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR SGF5N150UFTU IGBT Single Transistor, 10A, 1.5kV, 62.5W, 1.5kV, SOIC, 3Pins24615+￥32.034650+￥30.6656200+￥29.8990500+￥29.70731000+￥29.51562500+￥29.29665000+￥29.15977500+￥29.0228 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR HGTG30N60C3D 单晶体管, IGBT, 63 A, 1.8 V, 208 W, 600 V, TO-247, 3 引脚79831+￥43.407610+￥40.9170100+￥39.0668250+￥38.7822500+￥38.49761000+￥38.17732500+￥37.89275000+￥37.7148 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 80A 3Pin(3+Tab) Power TO-247 T/R28041+￥103.615010+￥99.1100100+￥98.2991250+￥97.6684500+￥96.67731000+￥96.22682500+￥95.59615000+￥95.0555 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。22765+￥18.930650+￥18.1216200+￥17.6686500+￥17.55531000+￥17.44202500+￥17.31265000+￥17.23177500+￥17.1508 -
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品类: IGBT晶体管描述: FSBB20CH60BT系列 600 V 20 A 三相 IGBT 智能功率模块 - SPM-27CC37991+￥89.953010+￥86.0420100+￥85.3380250+￥84.7905500+￥83.93011000+￥83.53902500+￥82.99145000+￥82.5221 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。38791+￥55.302610+￥52.1295100+￥49.7723250+￥49.4097500+￥49.04711000+￥48.63912500+￥48.27655000+￥48.0498 -
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品类: IGBT晶体管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMD 单晶体管, IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 引脚11105+￥27.459950+￥26.2864200+￥25.6292500+￥25.46501000+￥25.30072500+￥25.11295000+￥24.99567500+￥24.8782 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。943310+￥8.7480100+￥8.3106500+￥8.01901000+￥8.00442000+￥7.94615000+￥7.87327500+￥7.814910000+￥7.7857 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。507810+￥7.2840100+￥6.9198500+￥6.67701000+￥6.66492000+￥6.61635000+￥6.55567500+￥6.507010000+￥6.4828 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。99355+￥13.852850+￥13.2608200+￥12.9293500+￥12.84641000+￥12.76352500+￥12.66885000+￥12.60967500+￥12.5504 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 600V 5A 20Pin SPMFA-B Rail25725+￥19.761350+￥18.9168200+￥18.4439500+￥18.32571000+￥18.20742500+￥18.07235000+￥17.98797500+￥17.9034 -
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品类: IGBT晶体管描述: 600V ，开关电源II系列N沟道IGBT与反并联二极管StealthTM 600V, SMPS II Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel StealthTM Diode62225+￥22.522550+￥21.5600200+￥21.0210500+￥20.88631000+￥20.75152500+￥20.59755000+￥20.50137500+￥20.4050 -
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品类: IGBT晶体管描述: EcoSPARKTM 300mJ ， 360V ， N沟道IGBT点火 EcoSPARKTM 300mJ, 360V, N-Channel Ignition IGBT67615+￥19.106150+￥18.2896200+￥17.8324500+￥17.71811000+￥17.60372500+￥17.47315000+￥17.39157500+￥17.3098
